中国研发出国产DUV曝光机可产8纳米及以下晶片

内地工信部近日宣布，研发出首台国产深紫外光曝光机（DUV），可生产8纳米及以下晶片，目前正在推广应用。

工业和信息化部官网9日公布「首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）」的通知，下发地方要求加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。

内地工信部指，已成功研发出国产DUV曝光机，可产8纳米及以下晶片。

图为ASML的DUV机。ASML

图为ASML的DUV机。路透社

工信部称，重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全。「中国首台（套）重大技术装备」是指国内实现重大技术突破、拥有智慧财产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

这份目录显示，在积体电路生产装备，其中一项是「氟化氩光刻机」（DUV曝光机），核心技术指标是「晶圆直径300mm，照明波长248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm」。这也代表，这台国产DUV可生产8纳米及以下晶片。至于国产DUV曝光机的良率则未见提及。

据内地科技自媒体今天转发消息后称，中国自己的DUV曝光机终于来了，虽然与荷兰ASML曝光机存在代差，至少己填补空白，可控可用，期待之后能研发出更先进的极紫外光曝光机（EUV）。

美国5日才宣布收紧制造先进半导体设备所需机器的出口管制，荷兰政府隔天跟进，宣布扩大限制半导体制造设备出口。

中国若实现国产8纳米及以下制程DUV，未来绝大多数晶片制造，将不用受制于ASML。不过，截至目前，尚无中国官方与厂商宣布这项消息。

中国研发出国产DUV曝光机 可产8纳米及以下晶片